ion extrinsèque — priemaišinis jonas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. extrinsic ion; foreign ion; impurity ion vok. Störion, n rus. примесный ион, m pranc. ion d’impureté, m; ion extrinsèque, m … Fizikos terminų žodynas
ion-implanted impurity — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
impureté implantée — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
impureté implantée par ions — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
extrinsic ion — priemaišinis jonas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. extrinsic ion; foreign ion; impurity ion vok. Störion, n rus. примесный ион, m pranc. ion d’impureté, m; ion extrinsèque, m … Fizikos terminų žodynas
foreign ion — priemaišinis jonas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. extrinsic ion; foreign ion; impurity ion vok. Störion, n rus. примесный ион, m pranc. ion d’impureté, m; ion extrinsèque, m … Fizikos terminų žodynas
impurity ion — priemaišinis jonas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. extrinsic ion; foreign ion; impurity ion vok. Störion, n rus. примесный ион, m pranc. ion d’impureté, m; ion extrinsèque, m … Fizikos terminų žodynas
densité de dopage des ions implantés d'impureté — implantuotųjų priemaišų jonų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity ion implantation density vok. implantierte Dotantenmenge, f rus. плотность имплантированных ионов примеси, f pranc. densité de dopage des ions… … Radioelektronikos terminų žodynas
impurity ion implantation density — implantuotųjų priemaišų jonų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity ion implantation density vok. implantierte Dotantenmenge, f rus. плотность имплантированных ионов примеси, f pranc. densité de dopage des ions… … Radioelektronikos terminų žodynas
CRISTAUX - Défauts dans les cristaux — Le cristal idéal, triplement périodique, ne se rencontre en fait jamais dans la nature: les cristaux réels, même quand ils se rapprochent beaucoup du modèle théorique, comprennent en effet toujours un certain nombre de défauts, en particulier des … Encyclopédie Universelle